《表2 不同碳源掺杂浓度下器件电流的下降百分比》
由表2与表3可以看出,在PLDD浓度为B+1下,饱和电流增加1.8%,漏电流增加26.76%。而掺杂碳源浓度为A时,可以在不太影响饱和电流的前提下降低漏电流,下降幅度为40%。因此,选择碳源掺杂浓度为A、PLDD浓度为B+1,研究对PMOS器件性能的影响。
图表编号 | XD0037906200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.20 |
作者 | 吉忠浩、阎大勇、龙世兵、薛景星、徐广伟、肖印长、娄世殊 |
绘制单位 | 中国科学院大学微电子学院、中芯国际集成电路制造有限公司、中国科学院大学微电子学院、中芯国际集成电路制造有限公司、中芯国际集成电路制造有限公司、中芯国际集成电路制造有限公司、中芯国际集成电路制造有限公司 |
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