《表1 干法刻蚀参数Tab.1 Parameter of dry etch》

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《光刻法图案化石墨烯研究》

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石墨烯膜的光刻法图案化工艺需要进行光刻工艺、干法刻蚀工艺、剥离工艺等。在光刻工艺过程中，需要经过清洗、涂胶、烘烤、曝光、显影等过程，需要3M高温胶带进行PET膜周边封闭固定，防止去离子水或显影液进入PET膜层下部，影响曝光。光刻完成后，需要去除高温胶带，并吹干，防止水汽等进入干法刻蚀腔体；干法刻蚀工艺对石墨烯表面进行了O2离子体表面处理，表面处理的条件如表1所示。