《表5 不同刻蚀坑形貌仿真结果Table 5 Simulation results of different etch well morphologies》

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《用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿》

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用1μm的倍增层和0.3μm的刻蚀坑深度来模拟仿真这三种刻蚀坑形貌对APD离化积分以及击穿电压的影响，仿真时刻蚀坑形貌如图8.不同刻蚀坑形貌APD击穿时的离化积分分布如图9，并将此时的击穿电压和中心轴Ip列于表5.结果表明，垂直型和斜坡型击穿电压与中心轴Ip所差不多，两种刻蚀坑形貌对器件性能影响基本相同.然而钻蚀型刻蚀坑形貌将直接导致器件倍增区厚度中心区域厚、边缘区域薄，边缘处凹槽的出现会造成E1附近PN结曲率增加，使E1处提前击穿时中心轴附近的离化积分过小（图9），不利于边缘击穿的抑制.与垂直型和斜坡型刻蚀坑形貌相比，击穿电压相差2V，这是一个比较大的数值.所以在刻蚀方法的选择上，不宜采用湿法刻蚀，干法刻蚀中RIE法与ICP法相对刻蚀速度较慢，更容易精确控制刻蚀深度，选用RIE法制备刻蚀坑更能获得良好的形貌.