《表1 EPC2007最大额定参数》

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《仿真研究温度对GaN MOSFET瞬态特性响应》

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在现有的GaN晶体管产品中，宜普电源转换公司的产品较为成熟。因此，本文选择以宜普电源转换公司生产的场效应晶体管器件EPC2007（100V/6A/30m?）为代表，来研究温度对GaN MOSFET瞬态特性响应。该理论参数可从EPC2007数据手册中查找得到。在常温（25℃）的状态下，其最大额定参数数据如下表3.1所示，由表1可知，在持续时间且热阻（接到环境）θJA=40的情况下，ID=6A；脉冲宽度Tpulse=300μS，ID=25A。