《表1 B7HF200晶体管类型的比较》

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《世界第一款K波段DAC的设计》

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规避CMOS制程限制的设计使得转换路径更容易实现。这种方案利用英飞凌J.B?ck等[3]的异质结硅锗碳双极型工艺实现较高的原始速度。通过引入NPN双极型晶体管内在固有的碳元素，B7HF200工艺允许实现极薄的高度掺杂基极。高转化速度（200GHz Ft）和低阻抗基极是实现DAC高性能的两个最重要的因素。这种工艺已经在高速和毫米波应用中应用了超过10年，可用于多种固态微波器件。表1为B7HF200晶体管类型的比较。