《表3 装STP150NF55 (改进后) 样件的脉冲电压试验》
以PWM输入=80%,Up=13.5V进行试验,原设计样件在52V/400ms时,功率MOSFET击穿损坏,电路短路,如表2和表3。改进后设计样件在68V/800ms时,功率MOSFET未击穿,电容C24和C25击穿。试验表明,改进后(STP150NF55)的样件比装原样件(IRL2203N)具有更好的抗脉冲电压冲击能力。
图表编号 | XD0075887500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.05.30 |
作者 | 魏远飞、侯邦明 |
绘制单位 | 上汽大众汽车有限公司、上汽大众汽车有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |