《表2 菌体受高温胁迫后的生长状况》

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《聚谷氨酸产生菌的选育及生产条件研究》

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注:表格内容代表平板上的单菌落个数

将诱变菌液在80℃高温下进行了不同时间的胁迫处理，处理之后将其涂布在普通LB固体平板上，最后将所有平板37℃避光倒置培养18 h左右，菌体在平板上的生长状况如表2所示。