《表1 串联谐振试验中不同缺陷模型的局部放电实验数据》
对比了不同缺陷模型的局部放电特征,实验研究表明:不同缺陷模型的起始放电电压不同,外半导电层破损、悬浮电极缺陷的起始放电电压大于1.0U0,其它缺陷的起始放电电压均小于1.0U0。如表1所示,在同一电压(1.0U0)下的视在放电量存在一定的差异,其中主绝缘气泡缺陷放电量最小,为196 p C;外半导电层破损缺陷放电量最大,达1 000p C。通过对主绝缘气泡缺陷模型进行串联谐振实验发现,随着外加电压的逐渐升高,放电量随之升高,提升速度较快,具体实验数据详见表2。
图表编号 | XD0073253100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.04.15 |
作者 | 胡海燕 |
绘制单位 | 中国石化青岛安全工程研究院化学品安全控制国家重点实验室 |
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