《表4 Scatchard分析曲线Qmax、Kd及线性方程》

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《木犀草素配位印迹聚合物的制备及吸附性能》

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研究分子印迹聚合物结合特征，常常采用Scatchard模型评价，以吸附容量Q为横坐标，以Q/?e为纵坐标，作Scatchard分析曲线，结果见图5和表4。在Scatchard等温吸附模型中，低结合位点的R2=0.9783，高结合位点R2=0.4965，这表明聚合物的静态吸附行为不符合Scatchard等温吸附模型。