《表4 抗弯强度正交试验结果分析表》

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《微波烧结工艺制备纳米羟基磷灰石陶瓷》

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K1=115；K2=125.3；K3=69.9；K4=170.4；=57.5；K2=62.6；K3=34.9；K4=85.2.

表2～表4中K1和K3，K2和K4分别为某因素第1，2个水平n次试验结果数据总和，其中:为最佳工艺条件。相对密度和抗弯强度分析表明，最佳水平组合均为A2B2，即选择以溶胶凝胶法产业化生产的HAP粉末为原料，在微波烧结工艺条件下能得到较大相对密度和抗弯强度的HAP陶瓷材料。