《表1 靶平面至Fourier面处的传输矩阵参数》

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《高能电子成像暗场成像技术特性研究及改进方案》

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为了探究暗场成像在高能量密度物质诊断中的适用性，本次工作模拟了40 MeV高能电子对宽度为500μm、厚度为7～224μm的铝台阶样品的成像过程，并对系统的空间分辨能力及面密度分辨本领进行了讨论。束线设计如图3所示，束线传输矩阵参量如表1～2所示，铝台阶样品如图4所示。