《表3 1 150℃保温20min的还原偶中各个相的化学组成 (图7 (a) )》

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《FeNb_2O_6与硅铁界面反应行为的原位研究》

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还原偶在CSLM中1 150℃保温20min后的扫描电镜图如图7所示。表3为图7（a）中各个点的能谱分析结果。从图7（a）得到，与1 100℃时的相同，在硅铁（点1和点2）和FeNb2O6（点6）之间也生成A和B两个反应层，硅铁/A层界面处生成一层SiO2（点3），这是因为随着温度的增加，硅热反应越剧烈，生成的SiO2发生堆积造成的。