《表1 不同辐照参数下细胞总凋亡率的流式检测结果》

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《宽频电磁脉冲辐照对上皮细胞凋亡损伤的影响》

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注：与Sham组相比，*p<0.05，**p<0.01。

Logistic函数是一种S型曲线，把电场强度对细胞的作用效应分成了3部分：无显著效应区，有显著效应区和效应平台区。当电场强度小于130 kV/m时，在所有脉冲个数条件下，宽频电磁脉冲辐照并没有引起AECs凋亡率的明显升高，辐照组细胞的凋亡率与Sham组及Control组相比均无显著性差异，表明在本实验条件下可能存在辐照损伤效应的响应范围，低电场强度或脉冲个数太少的情况下，受照细胞的凋亡损伤现象不明显。当电场强度大于130 kV/m时，除N=2辐照组外，其余辐照组细胞凋亡率均随电场强度的增大而线性上升，且在辐照过程中没有测出明显的温升现象，体现出宽频电磁脉冲对AECs凋亡损伤的场效应作用。当电场强度增加一定值后，再增加电场强度会出现一个效应的平台区。平台区对应的细胞最大凋亡率与脉冲个数有关，脉冲个数越多，最大凋亡率越高，反映了脉冲个数也是影响细胞凋亡率的重要因素之一。本实验中，细胞最大凋亡率在13%左右，低于某些单频电磁脉冲关于细胞凋亡率的报道[8，20]，但与本实验室前期大鼠凋亡实验结果类似[17-19]。这可能是因为本实验条件下，两次脉冲之间的时间间隔（约1 s）比较长，损伤累积效果不如报道中的单频电磁脉冲强；另一方面，本实验所使用的宽频电磁脉冲的电场强度峰值主要由陡化间隙的击穿电压决定，电压加载过程中样品未经氮气保护，当场强较高时，有可能在加载到一定程度后击穿空气，使实际作用电场强度低于理论值[21-22]，由此造成的细胞凋亡率没有随着外场强度的上升而继续上升，从而出现了细胞凋亡平台。