《表2 各测试频率下的电阻》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

获取初级绕组和次级绕组在高频电流测试条件下的电阻，可以分别计算初级和次级绕组的铜损。由于趋肤效应，在频率越高的测试条件下绕组的等效电阻越高。常用数字电桥的最高测试频率一般为100～200 kHz，难以达到fs。个别厂家生产数字电桥的测试频率可到1 MHz，但价格昂贵，较为少用。在固定测试频率点量得变压器初级电阻Rpri和次级电阻Rsec，测量的结果见表2。之后利用牛顿插值法得到Rpri和Rsec和测试频率ft的大致关系，可以计算在谐振频率点的Rpri和Rsec，即