《表2 优化后的场强计算结果》

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《盆式绝缘子的优化设计》

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优化后的电气分析计算结果见表2，与原设计的计算结果对比可知:优化后的绝缘件内部嵌件表面场强（E2）为3.003kV/mm，比原来下降了26.9%；绝缘件内部屏蔽环表面场强（E5）为2.888kV/mm，比原来降低了17.9%；盆式绝缘子表面场强（E4）为12.733kV/mm，下降了3.4%；以上部位的场强都下降到基准值以下。三交区E3的场强也得到了改善，为15.678kV/mm，裕度增大了。由此说明通过调整嵌件形状、气隙尺寸或屏蔽环位置可优化盆式绝缘子的电场分布。