《表2 V0与V2试样的电化学萃取相分析结果》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Ⅴ元素对铁镍基变形高温合金GH4061组织和性能的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

如上节所述，V作为固溶强化元素大部分进入了GH4061合金的γ基体中，并通过影响γ基体成分间接影响第二相的组成和含量。由表2可知，V元素进入γ基体会降低Nb、C元素的固溶度，间接引起Mo、Cr含量增加，使得固溶强化效果增强。显然，进入γ基体中的V元素会影响其晶格常数。图7是GH4061合金γ基体典型的高分辨图像及傅里叶变换和选区电子衍射花样。先对衍射斑点进行标定，确定图像中对应晶面的晶面指数，测量（111）面的面间距，再根据d111=31/2/3a可计算出γ基体晶格常数。通过对不同V含量试样进行高分辨图像分析，测量γ基体特定晶面的面间距再计算晶格常数，所得结果绘于图8。由图可见，V含量由0增至0.8%，γ基体晶格常数由0.3620 nm增至0.3640 nm。