《表4 加载不同压应力下P110钢在CO2环境中形成的腐蚀产物膜的半导体参数》
表4为不同压应力作用下腐蚀产物膜的半导体参数。通过载流子的浓度可推测出腐蚀产物膜中缺陷的数量,膜中的电子传导与物质传质与这些缺陷有紧密的联系[21]。可以发现,随着压应力的不断增加,在相同电位区间内腐蚀产物膜中载流子浓度先减小后增大,在103%σs处有所上升,但总体来说,施加压应力后的载流子浓度都比未施加压应力时的浓度低。说明压应力能减少腐蚀产物膜的缺陷,减慢电子传导与物质传质过程,增大膜层的耐腐蚀能力。这与EIS谱和极化曲线的分析保持了一致。
图表编号 | XD0053349200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.06.15 |
作者 | 王书亮、景阳钟、任呈强、刘丽、鲍明昱 |
绘制单位 | 西南石油大学材料科学与工程学院、西南石油大学材料科学与工程学院、西南石油大学材料科学与工程学院、西南石油大学材料科学与工程学院、西南石油大学材料科学与工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |