《表3 不同电容下CDU回路的电感、电阻和周期计算值》

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《基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性》

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结合表3，0.36μF电容与MCT组成的CDU回路的电感和电阻最小，故在不同电容放电电压下，采用此CDU进行微型爆炸箔芯片的电爆性能测试，其中桥箔尺寸为0.3 mm（L）×0.3 mm（W）×4.6μm（H），材料为铜。实验前测量出桥箔平均电阻约为35 mΩ。采用高压探头采集EFI两端电压，罗果夫斯基电流环采集EFI处电流信号。在1.20 kV放电电压下，完整的波形数据处理结果如图4所示。