《表1 镍催化剂上双层石墨烯的生长》
Vigolo等人[66]对石墨烯转移步骤作改进,实现镍基底的6次重复使用,且双层覆盖率随使用次数逐渐增大。他们主要是在125μm厚的镍基底上,通过超快速的降温(10~15 s从900℃降至50℃)抑制镍中碳原子的沉淀,使之与镍形成Ni3C结构,该结构可以减少转移刻蚀剂硝酸铁对它的刻蚀,并且可以促进石墨烯的生成。Zhou等人[86]研究了单晶和多晶镍基底上单双层石墨烯覆盖率和质量问题,并给出机理解释:单晶镍基底表面为原子级光滑,没有晶界;而多晶镍基底晶界多,提供了大量的石墨烯形核位点,因而单晶镍基底上优先形成单双层石墨烯,多晶镍基底上有更多的少层石墨烯。表1总结了以上这些镍催化剂上双层石墨烯的生长参数与结果。
图表编号 | XD0052115800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.06.20 |
作者 | 王宏涛 |
绘制单位 | 浙江大学应用力学研究所、浙江大学交叉力学中心 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |