《表1 不同功率开关及不同损坏条件下的破坏性试验》

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《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制》

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部分栅级驱动器封装针对不同开关和不同测试条件，其芯片损坏情况相似。图8所示为试验8中基于P-MOSFET输出驱动级的损伤情况（表1）。在体电压为750 V时试验导致IGBT爆炸，以及限流器件Rg和Dz损坏；但是，只能看见引脚VDDA的线焊位置附近小范围熔化。在损坏阶段，栅级过电流通过内置的P-MOSFET二极管流入100μF电容。由于过电流，线焊附近区域熔化。驱动器芯片没有进一步损坏，控制芯片也没有出现进一步的隔离损坏。图9所示为试验9过程中的熔融区域，其中直接将150 V高压施加于驱动器芯片。控制芯片的电隔离通过了本次极端过载试验。