《表1 g-C3N4多种改性方法及催化机理》

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《石墨相氮化碳光催化剂改性的研究进展》

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Y.Y.Wang等[21]利用KBr作为K源通过温和的热聚合反应得到K-g-C3N4复合光催化剂，由于gC3N4中含有-NH2和-NH-等基团，KBr中的K+能够与这些氨基发生反应形成N-K键，N-K键和均三嗪键链接，K+和g-C3N4的相互作用不仅能够加强结构中π键的共轭作用，而且降低了邻层间的能量势垒，缩短能带提高光捕捉能力。S.C.Yan等[22]加热三聚氰胺和氧化硼混合物制得B-g-C3N4，结果表明，复合光催化剂由于光生空穴氧化反应使RhB降解，而化学总反应致使MO大部分降解。在化学总反应中，光致还原反应要比光致氧化反应剧烈。M.Bomberg等[23]制得的S-g-C3N4使光生电子更容易从杂质层传输到导带层或价带层再传输回杂质层。M.Wang等[24]合成灯笼壳型Eu（III）-g-C3N4有利于扩大特殊界面表面积，加快光生电子传输。单质掺杂改性可以在光催化剂表面形成价键结构，光生电子更容易被捕捉，可以提高光催化剂波长吸收范围，降低能带。但是单元素掺杂易引起光催化剂内部电荷分布不均，形成更多的光生电子空穴对复合中心，使光催化剂催化性能降低。表1为g-C3N4多种改性方法及催化机理对比。