《表2 由图7得到的交流阻抗参数》

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《钛酸锂/石墨烯复合负极材料的制备及电化学性能》

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图7为纯LTO、LTO-G-1、LTO-G-2和LTO-G-3的交流阻抗谱图。如图所示，它们均由中高频区的半圆和中低频区的斜直线组成。高频区与实轴的截距对应电池的内阻Rs（又称溶液电阻），主要来自于电极与电解液之间的作用；在中高频区的半圆，主要与电解质/电极界面之间复杂的电化学反应有关，其中包括电荷（电子和锂离子）转移电阻Rct、粒子与粒子间的接触电阻以及相应的电容。由表2的交流阻抗数据可以看出，纯LTO的电荷转移电阻Rct为140.5Ω，LTO-G-1的Rct为96.3Ω，LTO-G-2的Rct为69.6Ω，LTO-G-3的Rct为82.8Ω，LTO-G-2的电荷转移阻抗最小。这说明在钛酸锂材料中添加适量石墨烯克服了电荷间的传递阻力，增大了钛酸锂材料的电导率，从而提高了钛酸锂材料的电化学性能。在低频区的斜线反映的是锂离子在固态电极材料的扩散阻抗，也称为Warburg阻抗。其特点是斜线的斜率越大，阻抗值越小，从图7中可以看出，3种不同石墨烯添加量的钛酸锂/石墨烯复合材料在低频区的斜率明显高于钛酸锂材料的斜率，这表明添加石墨烯确实能够提高钛酸锂的电化学性能。