《表2 试样PMG1与PMG2的电性能数据》

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《混酸提纯工艺对微晶石墨结构及电性能的影响》

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在50 mA/g电流密度下，微晶石墨PMG1与PMG2首次充放电曲线，见图4。充放电性能数据见表2。由图4和表2可知，两个样品在0.5 V左右出现明显的放电平台，这个平台在后续循环中没有出现，为不可逆平台，对应电解液分解形成SEI膜（固体电解质界面膜）。酸洗前微晶石墨首次放电比容量和充电比容量分别为680.6 mA·h/g和282.8m A·h/g，酸洗后微晶石墨首次放电比容量和首次充电比容量为731.8 mA·h/g和340.1 mA·h/g，可见酸洗后微晶石墨首次放电和充电比电容量均提高，且首次库伦效率也增大。