《表2 效率对比：基于准谐振技术的宽电压范围双管反激电源设计》

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《基于准谐振技术的宽电压范围双管反激电源设计》

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图7为低压带满载的条件下，占空比较大接近45%，同时开关频率在75 kHz左右，Vds波形接近零电压导通。图8中，在高压下变压器原边电流较小，使得占空比很窄。由于变压器的匝数比n一定，反射电压Vor=nVo也就为定值，从而发生谐振的第一个谷底电压就会抬升，因此，在输入高压下开关管的开关损耗明显要比低压下大。图9所示的波形没有实现第一个谷底导通，是因为1 000 V输入条件下带载15 W相对来说是轻载，变压器的关断时间无法保证大于芯片3.5μs的消隐时间导致的。从图7～图9的对比中就可以发现准谐振技术无法保证全电压、全功率范围内实现。同时分别测量了L6565芯片和UC3845芯片在相同输入电压、相同负载条件下的效率，如表2所示。通过对比发现，用准谐振实现的效率明显要高于硬开关实现的效率。又发现当输入电压很高时，二者的效率几乎一致，从而表明在高压时开关管并没有实现第一个谷底导通，也就论证了准谐振技术在全电压范围内较难实现。