《表1 短路实验最终结果和样品特性》

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《碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发》

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表1汇总了测试器件中两个样品的实验结果，从测量结果看，两个样品的损耗程度不同。样品1的本征栅源电阻为3.3kΩ，除连续栅极电流吸收异常外，MOSFET的其它功能未受任何影响。相对于标准操作条件，样品2本征栅源电阻低很多，而栅极吸收电流却升高。即使开关能量在受损最严重的样品上显著提高，两个样品仍然能够维持功能正常，如图3（d）所示。