《表1 各排布方案线圈参数》

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《CFETR纵场超导磁体CICC导体低温冷却设计与分析》

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参照CFETR设计参数，在等离子体大半径7.2 m处产生中心场强为6.5 T的标准[9]。线圈排布方案以及导体各参数如表1所示。根据等离子体聚变物理设计参数，设定多种等离子体脉冲放电时间与相邻脉冲时间间隔工况，线圈盒体材料采用316LN不锈钢，导体材料为Nb3Sn[10]。图4为多种导体线圈排布方案示意图。其中158匝与168匝的线圈排布方案考虑到磁体内部结构，高场侧区域靠近等离子体一侧的线圈盒采用环面设计。