《表2 PI/GF复合材料的电性能参数》

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《4500V芯片塑封用聚酰亚胺/GF复合材料的制备与性能》

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表2为PI/GF复合材料的电性能参数。从表2中可以看出，纯聚酰亚胺材料的电气强度与击穿电压较大，介电损耗与介电常数较小，绝缘性能较好，这与聚酰亚胺材料含有的酰亚胺键及半梯形结构有关。随着玻璃纤维用量的增加，PI/GF材料的电气强度和击穿电压呈上升趋势，介质损耗因数和相对介电常数呈下降趋势，PI/GF材料的绝缘性能增强。高聚物介电击穿可以分为3类，分别为本征击穿、热击穿和放电引起的击穿，与聚合物分子结构特征和树脂内部的缺陷有关[12-13]。玻璃纤维在聚酰亚胺树脂中起到填充孔隙、结构支撑、物理交联的作用，由于偶联剂处理后的纤维表面含有较多的活性化学基团，能够形成Si—O—Si化学键，与聚酰亚胺树脂紧密结合，使PI/GF材料的内部缺陷减少，在受到高压电场的作用下，树脂热击穿产生热降解与放电击穿介电损耗产生的热量减小，使PI/GF材料的电气强度增大，介电损耗变小，因此，PI/GF材料材料的绝缘性能提高。