《表1 2 2019年国内外TOPCon太阳电池的效率统计》

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《2020年中国光伏技术发展报告——晶体硅太阳电池研究进展(3)》

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晶科公司2018年制备的n型TOPCon电池采用LPCVD设备沉积多晶硅，其在大面积商用硅片衬底上制备的电池的最高效率达到24.19%。该纪录在2019年被天合公司打破，天合公司的TOPCon电池的最高效率达到24.58%，具体如表12所示。新加坡SERIS公司使用Meryer Burger公司开发的PECVD设备沉积掺杂n+非晶硅或微晶硅层，再经过退火得到多晶硅，其制备的Mono Poly电池的最高效率在2019年提升至23.5%。该种电池采用了Meryer Burger公司特有的Smart Wire栅线技术，这种制备多晶硅层的技术相对简单，可以进行多晶硅原位掺杂，绕镀现象也不严重。中来公司将其n型PERT电池生产线改造成n型TOPCon电池生产线，在2018年得到的电池最高转换效率为22.85%，产线平均效率已经达到22.56%；该公司在2019年采用12BB电极技术，进一步将电池最高效率提升至23.19%，且宣称产线平均效率已达到了23.12%。其多晶硅层使用LPCVD生长，由于LPCVD生长多晶硅过程中会导致绕镀现象，磷掺杂温度要求达到850℃，而LPCVD的沉积温度却较低，因此原位掺杂难度较高。而如果先生长本征多晶硅膜后再掺杂，则增加了工艺复杂性，制备成本将上升。