《表4 装置的分析损耗和测量损耗之间的比较》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《高频LLC谐振变换器的节能降损研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

为了验证器件的分析损耗，在基于Ga N的变换器原型上进行了热试验需要，建立器件损耗与温度的关系作为参考。首先，在图10(b）中的共源共栅Ga N器件顶部和底部的栅极和源端之间施加8V直流电压。然后，通过将E3631A电源的直流电流输入装置，用34410A 6 1/2位高精度数字万用表测量漏源电压，得到装置的传导损耗。同时，利用FLIRSC620热成像摄像机对器件表面温度进行测量。因此，图12(a）中导出了初级侧Ga N器件损耗随温度的变化情况。将图12(b）中变换器满负载运行时在相同冷却条件下测得的装置温度作为参考，可以得到装置损耗，次级侧器件的损耗采用同样的方法得到。对比装置的分析损耗和测量损耗，如表4所示。