《表1 不同位置的电阻率：高压GIS壳体环流及损耗计算模型研究》

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《高压GIS壳体环流及损耗计算模型研究》

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Ω·m

图5为550 k V变电站GIS布置图。图中TM1，TM2为GIS电源进线位置；OUT1为GIS出线位置；CB11、CB12、CB13为断路器位置；1，2，3，4，5，6为短接线位置；黑粗线为短接排，短接排的型号为Al60 mm×10 mm。在每处短接排的每一相设置一条接地线，其型号为Cu40 mm×5 mm。GIS壳体磁导率为4π×10-7H/m；SF6气体的介电常数为1.000 29F/m。电阻率如表1所示。