《表6 酸浸后CLW中杂质含量》

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《太阳能级多晶硅切割废料的酸洗除杂研究》

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以w（盐酸）19%，反应时间3 h，反应温度60℃，液固比4∶1，搅拌速度150 r/min为最适宜酸浸条件，MeRR达到96.50%，non-MeRR达到46.44%，表6为酸浸后各杂质元素的含量。