《表3 压敏电位梯度正交数据结果》
最优水平及主次顺序B1C1D3A2
表3为压敏电位梯度正交数据结果,从表中可以发现,压敏电位梯度的范围是380~836 V·mm-1之间。使压敏电位梯度能够达到最高的工艺水平为升温速度60℃/h,烧结温度1050℃,保温时间1h,降温速度90℃/h。由极差R可知,烧结温度为影响压敏电位梯度的最大影响因素,温度越高,压敏电位梯度越小(图3)。由热力学分析可知,ZnO压敏陶瓷的添加剂的主要成分Bi2O3高温液化后,在ZnO晶界中产生尖晶石相,通过“钉扎”作用,限制了ZnO晶粒的大小,提高了压敏电位梯度[15]。随着烧结温度的升高,添加剂Bi2O3等成分挥发加剧,使得原本在ZnO晶界中间添加剂的成分含量降低,不能充分抑制ZnO的晶粒的尺寸,主晶界处的界面态密度降低,压敏电位梯度因而减小。
图表编号 | XD00192764300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.10.01 |
作者 | 尹玉、陈鑫、刘凌云、柳建军 |
绘制单位 | 湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心、湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心、湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心、襄阳市三三电气有限公司 |
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