《表1 改进的TMR状态位编码说明Tab.1 Improved TMR status code description》

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《基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计》

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表1为该电路结构的编码，在改进TMR电路中Q为TMR经表决电路的输出，S1和S0作为输出可由逻辑分析仪检测在辐射试验过程中是否有模块发生翻转以及翻转模块的定位。另外，在三模块中任一模块发生翻转后将由RESET端口对系统进行复位处理，同时由外部记录为一次翻转。