《表2 四种薄膜电滞回线参数》

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图2为四种薄膜的电滞回线，表2为电滞回线的参数值，分析图2和表2可知，有氧条件下溅射的PZT薄膜饱和极化和剩余极化强度最大，分别为143.99和52.31μC/cm2，矫顽电场最小为21.25kV/cm。其原因在于，溅射时通入的O2为晶粒生长提供了充足的O原子，导致薄膜晶体晶界能下降，有利于晶粒充分生长。此外，PZT（有氧）/ZnO复合薄膜的极化强度较小。这是因为ZnO不是优良导体，测试时外加电压部分降落在ZnO薄膜上，影响了PZT薄膜的极化。从表2还可以看出，和LiNbO3薄膜相比，PZT薄膜的铁电性能更加优异。