《表4 染污绝缘子试品信息》

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《基于特征参量K_(h10)的复合绝缘子污闪试验》

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本节通过AR高岭土与CP高岭土染污试品受潮差异来说明污秽成分对复合绝缘子受潮过程的影响。如第1节所述，受潮前在4个伞裙上表面随机取3个点，用10μL靛蓝溶液面积平均值DAmax污层初始憎水性[17]，试品水平布置受潮，测量3个并联伞裙Kh10，仍以K*h10表征试品最终受潮状态。试品信息见表4，受潮过程如图18所示。试品Ⅰ、Ⅱ的初始憎水性接近，试品Ⅱ盐密高，若不考虑AR高岭土与CP高岭土的吸潮能力差异，理论上试品Ⅱ更容易受潮。实际情况是，试品Ⅰ受潮更快，表面放电更显著，受潮不到20min，Kh10已趋于低值区稳定阶段[17]，污层达到饱和受潮状态；而试品Ⅱ在80min后才达到饱和受潮状态，且Kh10值要显著高于前者。