《表1 各世代面板尺寸及所需靶材规格》

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《钼及钼合金溅射靶材的研究现状与发展趋势》

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随着LCD用玻璃基板尺寸的增加，一直到G5.5代都要求钼及钼合金溅射靶材的规格增大，而在G6代之后，随着拼接技术的成熟，对裸靶尺寸的要求下降了。国内外溅射用大尺寸钼靶材的制备方法均为粉末冶金–热轧的成型工艺，国外热轧机的轧辊宽度多在1000 mm以上，最大可以生产2000 mm以上宽幅的溅射靶材，而国内热轧机的辊宽多在850 mm以下。所以，国内厂家无法制备宽幅非拼接的大规格钼靶材，G5.5以下世代的钼靶材主要依靠进口。各世代面板尺寸及所需靶材规格如表1所示，从表1中可以看出，G6、G7.5、G8.5世代面板所用钼靶材需拼接完成。由于拼接型钼靶材在组织结构方面有一定差异，会直接影响溅射镀膜的效果，而采用整体型宽幅靶材有利于解决膜层的均匀性问题。近两年，我国连续投资两条10代以上液晶面板生产线项目，目前，我国8.5代及以上高世代液晶面板生产线多达14条，势必会大幅增加对大尺寸钼溅射靶材的需求量。大尺寸靶材的制备难度大，相对密度及微观组织均匀性难以控制，靶材成形过程中易出现微裂纹、分层等缺陷，解决大尺寸问题的关键是成型和烧结工艺水平。新型钼烧结技术有微波烧结技术、放电等离子体烧结技术和热等静压技术[31]。微波烧结技术和放电等离子烧结技术其烧结穿透深度有限，且二者烧结时间过短，杂质排除不充分，不适用于大型钼靶材的制备。高端钼烧结产品（如TFT-LCD用钼溅射靶材）对烧结密度、组织均匀性和孔隙率等烧结指标要求比较高，国外大多采用热等静压烧结成型技术，其产品质量远高于国内常用的传统冷等静压–无压烧结工艺。奥地利Plansee采用挤压的成型工艺来制备大尺寸的钼旋转溅射靶材，但挤压设备成本比较高。我国洛阳科威钨钼有限公司采用空心锻造的方法来制备大尺寸的钼旋转溅射靶材，降低了成本。