《表2 样品晶体的XRD晶胞参数和体积》
由图1中可以看出,生长的晶体具有较高的结晶度。纯样品的峰值与标准卡片的峰值相符合,由于掺杂晶体中硫脲质量分数较小,使得掺杂样品的反射峰有轻微的变化。通过正交晶胞方程解析纯晶体和掺杂晶体的晶格参数和晶胞体积,如表2所示。在晶体生长过程中,硫脲吸附在晶体表面,随着晶体的长大,掺杂剂被包裹在晶体的间隙位置,产生晶格应变,导致硫脲掺杂样品中单位晶胞参数的变化。因此,晶格常数和其他性质的变化定性地揭示了硫脲在掺杂晶体中的存在。
图表编号 | XD00174745100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.08.20 |
作者 | 姚佩、蒋文伟、李晶晶 |
绘制单位 | 四川大学精细化工实验室、四川大学精细化工实验室、四川大学精细化工实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |