《表4 不同电流下芯片间底壳温差》

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《基于壳温差的风电变流器IGBT模块基板焊层健康状态评估》

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从图13可见，当IGBT模块中导通时，与图8趋势相同，芯片壳温经过短暂的暂态过程（约60 s）上升至稳态；当电流逐渐增加时，各芯片稳态壳温不断增大。图14有限元仿真值与实测值对比情况，可见在相同的电流激励下，各芯片壳温大小相差很小。表4为不同电流下仿真与实测条件下的芯片间壳温差，其中，各芯片温差是芯片间的稳态壳温差。从表4中可见各芯片的相对壳温差略有不同，原因是仿真值设定理想的电流激励和散热条件，而实际IGBT模块受散热条件以及温度传感器的测量精度等因素影响，故不可避免会与仿真值出现偏差。