《表1 不同终端结构的比较Tab.1 Compare to different termination structure》

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《VDMOS横向变掺杂终端的优化与设计》

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终端工作在反向偏置的击穿曲线如图8所示，击穿电压为700 V。根据设计的外延参数得到元胞区的仿真耐压为750 V，终端耐压的效率为93.33%，而传统的FLR终端结构效率只有80%[10]。与其他文献终端结构设计的比较，如表1所示。