《表6 不同光照处理下玉米的光化学猝灭系数qP变化》

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《弱光胁迫对滴灌玉米叶绿素荧光及生长特性的影响》

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由表6可知，遮阴后光化学猝灭系数qP明显升高，较CK差异显著（p<0.5），恢复自然光照后降低至正常水平。全生育期遮阴处理L1F1、L2F1、L3F1较CK苗期qP升高29.2%、82%、96.6%，拔节期升高28.6%、82.6%、91.5%，抽雄吐丝期升高29.2%、81.7%、91.4%，灌浆期升高33.4%、82%、95.6%；抽雄吐丝期遮阴处理L1F2、L2F2、L3F2较CK处理qP升高26.3%、83.8%、92.8%；灌浆期遮阴处理L1F3、L2F3、L3F3较CK处理qP升高36%、82.5%、97.3%。可见遮阴后PSⅡ反应中心开放程度增大，玉米叶片吸收的光能用于光合作用的比例增加。