《表2 模型参数：基于瞬态场——路耦合法的特高压自校CT误差特性分析》

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《基于瞬态场——路耦合法的特高压自校CT误差特性分析》

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按照上述方法建立的具有自校功能的特高压CT误差计算场—路耦合模型见图7。主要对比差进行计算。一次侧通入正常工作的工频电流，二次侧由双二次绕组并联构成，电阻各为15.2Ω。winding2～4为第1组二次绕组N21；winding5～7为第2组二次绕组N22。其中一、二次绕组在场计算三维模型与外电路模型命名一致，在有限元软件中连接，从而达到耦合。相关计算参数见表2。为使计算结果精确，考虑铁心材料1J85型坡莫合金的各向异性，将其B-H曲线添加到软件材料库中，曲线见图8。