《表5 循环扫描圈数对电极响应斜率和线性范围的影响》

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《Co/g-C_3N_4-CHIT/GCE修饰电极的制备及其对H_2PO_4~-的测定》

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实验利用循环伏安法电沉积硫酸钴，通过改变循环扫描圈数，研究循环扫描圈数对修饰电极电位响应的影响．选取循环扫描圈数为50圈、80圈、100圈和150圈，扫速60 m V/s．循环扫描圈数小于50圈时，钴薄膜只有很薄的一层，且极不稳定容易脱落；循环扫描圈数大于100圈时，形成的钴薄膜过厚，干燥后甚至有薄膜翘起现象且响应斜率下降．分析表5可知:循环扫描圈数为100圈时，电极的响应斜率最好，故选择循环扫描圈数为100圈作为最佳电沉积实验条件．