《表2 不同型号EMCCD和sCMOS主要技术参数对比》
提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《单分子定位超分辨显微成像技术研究进展及展望(特邀综述)》
SMLM技术所依赖的单分子荧光信号比较微弱,一般单个荧光分子的发光强度在几百至几千个光子之间,且成像光斑覆盖多个像素,此类微弱信号的探测要求探测器具有高灵敏度,以获取超分辨重构所需要的大量稀疏分布的单分子荧光图像,从而保证SMLM的成像质量.目前SMLM普遍使用的探测器为电子倍增电荷耦合器件(Electron Multiplier Charge-Coupled Device,EMCCD)[93,94]和科研级互补金属氧化物半导体(Scientific Complementary Metal Oxide Semiconductor,sCMOS)[95,96].表2列举了市场上SMLM常用的几种主流弱光探测器的主要技术参数.
图表编号 | XD00147961900 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.09.01 |
作者 | 安莎、但旦、于湘华、彭彤、姚保利 |
绘制单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室、中国科学院大学、中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室、中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室、中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室、中国科学院大学、中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室、中国科学院大学 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |