《表1 离子束加工工艺参数》

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《单晶硅柱面反射镜离子束倾斜入射加工工艺优化》

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为了研究入射角度对单晶硅表面质量的影响，实验中使用离子束机床在相同工艺参数、不同入射角度下对单晶硅表面进行处理，实验照片如图10(a）所示，在样件表面溅射出20mm×60mm的斜面区域，溅射深度由0到500nm，测量得到溅射后工件表面误差分布如图10(b）所示。离子束加工工艺参数如表1所示。