《表2 不同器件开关比（Ion/Ioff）的比较》

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《基于敏化作用近红外响应有机场效应晶体管的研究》

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电流开关比（Ion/Ioff）指的是晶体管器件在开关两态时对应电流大小的比值，反映了在一定栅压下器件开关性能的好坏。为了观察层压工艺对电流开关比的影响，比对了PBTTT薄膜场效应晶体管器件、100℃层压器件和150℃的层压器件，结果如表2所示。由表2可以看出，对于具有不同沟道长度的器件，在150℃下层压制备的器件开关比高于单层器件，而100℃下层压制备的器件开关比低于单层器件。这是因为在实际器件制备过程中，使用的是带有电极的Si/SiO2基底，电极的高度约为30nm。在100℃层压条件下，敏化层是搭在源漏电极上，敏化层本身较好的导电性导致开关比降低。150℃层压条件下，敏化层与电荷传输层紧密接触，成为场效应晶体管电荷传输半导体的一部分，有利于实现高的开关比。说明在层压工艺中，温度是一个重要的实验参数，优秀的电流开关比性能离不开层压温度的选择。