《表2 拉曼频移测试结果》

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《封装残余应力对MEMS加速度计输出特性影响》

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由于电阻为离子掺杂产生，电阻本身就具有一定的晶格失配，为减小离子掺杂对实验结构产生影响，因此在传感器芯片电阻附近取6个测试点进行残余应力测量，如图5所示。通过测试得出最终测试结果见表2。