《表1 两种调制电路比较》
对目前市场上流行的这两种开关管进行比较:(1)在相同功耗条件下,n-MOS的内阻比p-MOS小一个量级,这使得其调制电流更大,速度更快;(2)即使p-MOS电路通过外围芯片进行放电,其放电电流和直接通过n-MOS进行放电的电流也是无法比较的,所以n-MOS电路的调制脉冲前后沿远远优于p-MOS;(3)n-MOS器件本身的应用广泛程度远高于p-MOS,这使得其工作电压、调制功率等指标优于p-MOS。电路具体比较如表1所示。
图表编号 | XD00140414000 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.02.01 |
作者 | 葛园园、余振坤、梁东东、罗川川 |
绘制单位 | 南京电子技术研究所、南京电子技术研究所、解放军63612部队、解放军63612部队 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |