《表1 20Mg2Si/Al复合材料的试验工艺参数》

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《脉冲磁场与变质处理对20Mg_2Si/Al复合材料中初生Mg_2Si相的影响》

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试验采用坩埚电阻炉进行熔炼，将Al和Al-25Si合金加入至电阻炉中，待合金熔化后，再加入纯Mg，将电阻炉温度调至760℃，将变质剂P与La加入炉中，并保温20min。试验首先对比研究了未处理、磁场处理、脉冲磁场-变质剂复合处理对20Mg2Si/Al复合材料中初生Mg2Si相的影响，然后研究了复合处理条件下，不同磁场电压和频率对20Mg2Si/Al复合材料中初生Mg2Si相的影响。具体试验参数见表1，所有试验的浇注温度均为730℃，模具预热温度为600℃。