《表1 BDTP-IN和BDTP-CT的光学性质和电化学性质》

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《端基修饰对含氧引达省并二噻吩受体光伏性能的影响》

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1aEoptg=1240/λonset，λonset为小分子薄膜状态的吸收带边；bELUMO=-（Ered+4.73）e V，EHOMO=-（Eox+4.73）e V。

两个小分子受体材料的光学性质通过紫外可见光（UV-vis）吸收光谱进行表征，图2为BDTP-IN和BDTP-CT在氯仿溶液（a）和固体薄膜（b）状态下的吸收光谱。两个小分子均在550～850 nm范围内具有强而宽的吸收，BDTP-IN和BDTP-CT溶液的最大吸收峰分别位于716和701 nm处，薄膜状态的吸收峰分别为789和763 nm处。由于固体薄膜中分子排列更加紧密，BDTP-IN和BDTP-CT的固体薄膜吸收相对于其氯仿溶液光学吸收分别红移了73和62 nm。通过固体薄膜吸收图谱得到吸收带边（λonset）并计算出相应的光学带隙（Egopt），BDTP-IN和BDTP-CT的Egopt分别为1.48和1.53 e V，两个小分子的光谱数据列于表1。BDTP-IN表现出比BDTP-CT更加红移的光学吸收，这是由于BDTP-IN端基萘基团使得分子尺寸扩大，分子共轭扩展，BDTP-IN分子间的堆积更加紧密光学吸收红移光学带隙减小。