《表5 Langmuir和Freundlich等温线模型参数》
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《余甘子固定化单宁的制备及其对Ge(Ⅳ)、Ga(Ⅲ)及In(Ⅲ)的吸附特性研究》
余甘子固定化单宁上吸附Ge（Ⅳ）、Ga（Ⅲ）、In（Ⅲ）的吸附等温线如图8所示，计算参数如表5所示。结果显示对于Ge（Ⅳ）、Ga（Ⅲ）、In（Ⅲ），Langmuir模型比Freundlich模型能更好地描述吸附过程，Langmuir模型的R2均大于0.975 2，而Freundlich模型的R2在0.61～0.70，且用Langmuir模型模拟的最大吸附值（qm）与实际的实验结果（qe，exp）基本一致。说明余甘子固定化单宁对金属离子的吸附更符合Langmuir模型，即余甘子固定化单宁的表面存在均匀的吸附位点，且以单分子层吸附水体中的Ge（Ⅳ）、Ga（Ⅲ）、In（Ⅲ），余甘子固定化单宁的吸附能力为In（Ⅲ）>Ga（Ⅲ）>Ge（Ⅳ）。而对于Freundlich模型，Ge（Ⅳ）、Ga（Ⅲ）、In（Ⅲ）的“n”均在1
| 图表编号 | XD00135859400 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2020.02.01 |
| 作者 | 黄铖、李坤、张雯雯、张弘、孙彦琳、刘义稳 |
| 绘制单位 | 昆明理工大学化学工程学院、中国林业科学研究院资源昆虫研究所国家林业和草原局特色森林资源工程技术研究中心、中国林业科学研究院资源昆虫研究所国家林业和草原局特色森林资源工程技术研究中心、中国林业科学研究院资源昆虫研究所国家林业和草原局特色森林资源工程技术研究中心、中国林业科学研究院资源昆虫研究所国家林业和草原局特色森林资源工程技术研究中心、昆明理工大学化学工程学院、五峰赤诚生物科技股份有限公司国家林业和草原局五倍子高效培育与精深加工工程技术研究中心 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
